process for formation of contact ohmici on silicon carbide with improved electrical and morphological characteristics of the interfacc

机译： 具有改进的interfacc的电学和形态学特征的碳化硅上形成接触欧姆的方法

机译： 改善镁合金和/或镁合金之间的变形处理材料之间的热变形处理性能的抛光方式，改善变形加工特性，使附着的和服的还原方式与发热之间的镁金属无效。所述模具，用于改善变形加工性能的所述加工，方式和所述材料

机译： 具有改善的含铬电接触的碳化硅的半导电晶体