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Circuit for detecting abnormal operation of memory and integrated circuit and method for detectiing abnormal operation

机译:用于检测存储器的异常操作的电路和集成电路以及用于检测异常操作的方法

摘要

This invention provides a circuit for detecting an abnormal operation of memory, an integrated circuit including the same and a method for detecting an abnormal operation capable of detecting an abnormal operation of memory before an error occurs in the integrated circuit of a micro-computer and the like due to the data wrongly output from the memory and of enhancing the reliability of integrated circuit. More specifically, this invention provides a circuit for detecting an abnormal operation of memory comprising: a delay circuit 102 for delaying an output data 123 of memory 101 for a predetermined period of time and for outputting this data as a delay data 124; and a comparison circuit 106 for outputting an incoincidence signal 127 in case that the output data 123 of the memory 101 and the delay data 124 are not coincident with each other after compared.
机译:本发明提供了一种用于检测存储器的异常操作的电路,包括该电路的集成电路以及用于检测异常操作的方法,该方法能够在微计算机的集成电路中发生错误之前检测存储器的异常操作。例如由于错误地从存储器输出数据以及增强集成电路的可靠性。更具体地说,本发明提供了一种用于检测存储器异常操作的电路,该电路包括:延迟电路 102 ,用于延迟存储器 101 的输出数据 123 。 >在预定的时间段内并将该数据作为延迟数据 124 输出;以及比较电路 106 ,用于在存储器 101 的输出数据 123 的情况下输出不一致信号 127 比较之后,延迟数据 124 不一致。

著录项

  • 公开/公告号US2004153783A1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-08-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 YUSA ATSUSHI;

    申请/专利号US20030622780

  • 发明设计人 ATSUSHI YUSA;

    申请日2003-07-21

  • 分类号H04L1/22;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 23:19:07

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