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MANUFACTURING METHOD OF INDIUM NITRIDE NANOWIRE COVERED WITH INDIUM PHOSPHIDE

机译:磷化铟覆盖的氮化铟纳米线的制造方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an indium nitride nanowire which is physically and mechanically protected and stabilized.;SOLUTION: In this method, a mixture of powders of indium oxide, indium, and indium phosphide is heated to 750-850°C in an ammonia gas flow.;COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
机译:解决的问题:提供一种物理上和机械上受到保护和稳定的氮化铟纳米线的制造方法;解决方案:在该方法中,将氧化铟,铟和磷化铟的粉末混合物加热到750-850°C ; C在氨气中的流动。;版权所有:(C)2005,JPO&NCIPI

著录项

  • 公开/公告号JP2005139045A

    专利类型

  • 公开/公告日2005-06-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE;

    申请/专利号JP20030378946

  • 发明设计人 BANDO YOSHIO;WIN RONWEI;

    申请日2003-11-07

  • 分类号C01G15/00;B82B3/00;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 22:34:08

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