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Method and latch circuit for implementing enhanced performance with reduced quiescent power dissipation using mixed threshold CMOS devices

机译:用于使用混合阈值CMOS器件以降低的静态功耗实现增强性能的方法和锁存电路

摘要

A method and latch circuit are provided for implementing enhanced performance with reduced quiescent power dissipation using mixed threshold CMOS devices. A latch circuit includes critical data and clock paths and non-critical sections. A low voltage threshold (LVT) transistor is used only in the critical data and clock paths. The non-critical sections are implemented with regular VT, (RVT), or low leakage (LLD) transistors. The latch circuit advantageously is implemented using LVT devices in the internal critical paths of the latch and RVT output buffer transistors.
机译:提供了一种用于使用混合阈值CMOS器件以降低的静态功耗来实现增强性能的方法和锁存电路。锁存电路包括关键数据和时钟路径以及非关键部分。低压阈值(LVT)晶体管仅用于关键数据和时钟路径。非关键部分通过常规的VT,(RVT)或低泄漏(LLD)晶体管实现。闩锁电路有利地在闩锁和RVT输出缓冲晶体管的内部关键路径中使用LVT器件实现。

著录项

  • 公开/公告号US2005149766A1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-07-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 EUGENE JAMES NOSOWICZ;

    申请/专利号US20030731071

  • 发明设计人 EUGENE JAMES NOSOWICZ;

    申请日2003-12-09

  • 分类号G06F17/50;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 22:21:40

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