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机译:用于鼻窦能量发生器的控制器和具有这种控制器的鼻窦能量发生器
公开/公告号AT333718T
专利类型
公开/公告日2006-08-15
原文格式PDF
申请/专利权人 AMI SEMICONDUCTOR BELGIUM BVBA;
申请/专利号AT19990402881T
发明设计人 WIEERS AARNOUT;GENTINNE BERNARD GILBERT GUY;KONECNY PAVEL;PANTUCEK LUDEK;
申请日1999-11-19
分类号H03L5/00;H03G3/20;H03L3/00;
国家 AT
入库时间 2022-08-21 21:36:29
机译: 用于鼻窦能量发生器的控制器和具有这种控制器的鼻窦能量发生器
机译: 高效率的mosfet鼻窦能量发生器。
机译: 数字鼻窦发生器