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Method of enhancing performance of cerium doped lutetium orthosilicate crystals and crystals produced thereby

机译:增强铈掺杂的原硅酸晶体及其制备的晶体的性能的方法

摘要

A method for enhancing the light yield of a single crystal of cerium doped lutetium orthosilicate (LSO) in response to irradiation with high energy radiation includes diffusing oxygen into the crystal by heating the crystal for a period of time in an ambient containing oxygen. This process of thermal oxygenation of the crystal effectively supplies oxygen to fill at least some of the oxygen vacancies in the body of monocrystalline LSO. A scintillation detector comprises a monocrystalline body of LSO enhanced by oxygen diffusion into the crystal.
机译:一种响应于高能射线的照射而提高铈掺杂的原硅酸(LSO)单晶的光产率的方法,包括通过在含有氧气的环境中加热晶体一段时间将氧扩散到晶体中。晶体的热氧化过程有效地提供了氧气,以填充单晶LSO体内的至少一些氧空位。闪烁探测器包括通过氧扩散进入晶体而增强的LSO单晶体。

著录项

  • 公开/公告号US7151261B2

    专利类型

  • 公开/公告日2006-12-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 BRUCE CHAI;

    申请/专利号US20040754238

  • 发明设计人 BRUCE CHAI;

    申请日2004-01-09

  • 分类号G01T1/20;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:00:42

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