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Method for Orientation Treatment of Electronic Functional Material and Thin Film Transistor

机译:电子功能材料和薄膜晶体管的取向处理方法

摘要

A method of orienting an electronic functional material which comprises: a mixed material preparation step (Step S1) of preparing a mixed material from an electronic functional material and a matrix material used for orientating the electronic functional material; an orientation step (Step S2) of orientating the mixed material; and a matrix material removal step (Step S3) of removing the matrix material from the mixed material which has been oriented.
机译:一种电子功能材料的取向方法,其包括:混合材料制备步骤(步骤S 1 ),其由电子功能材料和用于取向电子功能材料的基质材料制备混合材料;和使混合材料取向的取向步骤(步骤S 2 );以及从已取向的混合材料中去除基体材料的基体材料去除步骤(步骤S 3 )。

著录项

  • 公开/公告号US2007272653A1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-11-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NAOHIDE WAKITA;

    申请/专利号US20040578713

  • 发明设计人 NAOHIDE WAKITA;

    申请日2004-11-09

  • 分类号H01L51;B82B3;H01L29/06;H01L29/786;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 20:13:04

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