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Sacrificial layer technique to make gaps in MEMS applications

机译:牺牲层技术可在MEMS应用中填补空白

摘要

A method comprising over an area of a substrate, forming a plurality of three dimensional first structures; following forming the first structures, conformally introducing a sacrificial material over the area of the substrate; introducing a second structural material over the sacrificial material; and removing the sacrificial material. An apparatus comprising a first structure on a substrate; and a second structure on the substrate and separated from the first structure by an unfilled gap defined by the thickness of a removed film.
机译:一种方法,包括在衬底的区域上形成多个三维第一结构;在形成第一结构之后,在衬底的区域上共形地引入牺牲材料;在牺牲材料上引入第二结构材料;并去除牺牲材料。一种设备,包括在衬底上的第一结构;第二结构在基板上,并与第一结构隔开由填充膜厚度限定的未填充间隙。

著录项

  • 公开/公告号US7358580B2

    专利类型

  • 公开/公告日2008-04-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 QING MA;PENG CHENG;

    申请/专利号US20050241024

  • 发明设计人 QING MA;PENG CHENG;

    申请日2005-09-30

  • 分类号H01L27/14;H01L29/82;H01L29/84;B81B3/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 20:11:20

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