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Substrate processing method

机译:基板处理方法

摘要

A substrate processing enables etching of a barrier metal film at around room temperature without application of a mechanical load and without excessive etching of a necessary portion of copper. The substrate processing flattens a copper film and a barrier metal film, both exposed on a surface of a substrate, by using an etching liquid capable of adjusting the etching rate ratio between the copper film and the barrier metal film.
机译:基板处理使得能够在室温附近蚀刻阻挡金属膜,而无需施加机械负荷并且无需过度蚀刻必要的铜部分。基板处理通过使用能够调节铜膜和阻挡金属膜之间的蚀刻速率比的蚀刻液来平坦化暴露在基板表面上的铜膜和阻挡金属膜。

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