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Method to make nano structure below 25 nanometer with high uniformity on large scale

机译:大规模制备高度均匀性低于25纳米的纳米结构的方法

摘要

A method of making a nano structure smaller than 25 nanometers utilizing atomic layer deposition, planarizing, and etching techniques.
机译:一种利用原子层沉积,平坦化和蚀刻技术制造小于25纳米的纳米结构的方法。

著录项

  • 公开/公告号US7323387B2

    专利类型

  • 公开/公告日2008-01-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GE YI;

    申请/专利号US20040987743

  • 发明设计人 GE YI;

    申请日2004-11-12

  • 分类号H01L21/336;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 20:09:37

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