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机译:sram电池有效测试周期比率的研究
公开/公告号AT407429T
专利类型
公开/公告日2008-09-15
原文格式PDF
申请/专利权人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;
申请/专利号AT20020787139T
发明设计人 NELSON ERIK.A;PILOHAROLD;
申请日2002-07-11
分类号G11C11/413;G11C29/00;G11C29/06;G11C29/28;G11C29/34;
国家 AT
入库时间 2022-08-21 20:04:46
机译: 区域高效的双端口和多端口SRAM。 用于SRAM的区域高效存储器单元
机译: 区域高效的双端口和多端口SRAM。 用于SRAM的区域高效的存储器单元
机译: 高效的双端口和多端口SRAM。 SRAM专用的区域存储单元。