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PHASE CHANGE MEMORY ELEMENTS USING ENERGY CONVERSION LAYERS, MEMORY ARRAYS AND SYSTEMS INCLUDING SAME, AND METHODS OF MAKING AND USING

机译:使用能量转换层,相变存储器阵列和包含相变存储器的系统的相变存储元素,以及制造和使用方法

摘要

A phase change memory element (100) and method of forming the same. The memory element includes a phase change material layer (24) electrically coupled to first (14) and second (22) conductive material layers. A energy conversion layer (18) is formed in association with the phase change material layer, and electrically coupled to a third conductive material layer (26). An electrically isolating material layer (17) is formed between the phase change material layer and the energy conversion layer.
机译:相变存储元件(100)及其形成方法。该存储元件包括电连接到第一导电材料层(14)和第二导电材料层(22)的相变材料层(24)。能量转换层(18)与相变材料层相关联地形成,并且电耦合到第三导电材料层(26)。在相变材料层和能量转换层之间形成电绝缘材料层(17)。

著录项

  • 公开/公告号KR20090042307A

    专利类型

  • 公开/公告日2009-04-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号KR20097005104

  • 发明设计人 LIU JUN;VIOLETTE MIKE;DALEY JON;

    申请日2009-03-12

  • 分类号H01L27/115;H01L45/00;H01L21/8247;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 19:13:33

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