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F density measurement method and plasma processing method and plasma processing apparatus in the plasma processing apparatus

机译:等离子体处理装置中的F密度测定方法,等离子体处理方法及等离子体处理装置

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a means for high-accuracy measuring the F density in plasma in a plasma processing apparatus.;SOLUTION: This method is a method for measuring the F density in plasma in the plasma processing apparatus 1 for applying plasma processings to a work W to be processed housed in a processing container 10. In this method, a processing gas containing at least an O2 gas and an inert gas is used to measure the F density in the plasma processing, on the basis of a ratio [F*]/[inert gas*] between the light-emitting strength [F*] of F radicals on the surface of the work W to be processed and the light emission intensity of the inert gas [inert gas*].;COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
机译:解决的问题:提供一种用于高精度地测量等离子体处理设备中的等离子体中的F密度的方法。解决方案:该方法是一种用于测量进行等离子体处理的等离子体处理设备1中的等离子体中的F密度的方法。到容纳在处理容器10中的待处理工件W上。在该方法中,使用至少包含O 2 气体和惰性气体的处理气体来测量等离子体处理中的F密度。基于F的发光强度[F * ]之间的比率[F * ] / [惰性气体 * ]待加工工件W上的自由基和惰性气体[惰性气体 * ]的发光强度。;版权所有:(C)2006,日本专利商标局&NCIPI

著录项

  • 公开/公告号JP4522888B2

    专利类型

  • 公开/公告日2010-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 東京エレクトロン株式会社;

    申请/专利号JP20050055620

  • 发明设计人 本田 昌伸;

    申请日2005-03-01

  • 分类号H01L21/3065;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 19:01:56

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