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SUSCEPTOR FOR VAPOR PHASE GROWTH DEVICE, AND VAPOR PHASE GROWTH DEVICE

机译:气相生长设备的气相色谱仪和气相生长设备的气相色谱仪

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a susceptor preventing generation of a flaw and a contact trace in a backside of an epitaxial wafer and capable of being used semipermanently.;SOLUTION: In the susceptor for a vapor phase growth device, a wafer supporting member made of glassy carbon is provided to be exchangeable in at least a wafer support region of a susceptor base material.;COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种基座,以防止在外延晶片的背面产生裂纹和接触痕迹,并且能够半永久使用。解决方案:在气相生长装置的基座中,制造了晶片支撑构件至少在基座基底材料的晶片支撑区域中提供可交换的玻璃碳。;版权所有:(C)2011,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2011146504A

    专利类型

  • 公开/公告日2011-07-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SUMCO CORP;

    申请/专利号JP20100005723

  • 发明设计人 FUJIKAWA TAKASHI;

    申请日2010-01-14

  • 分类号H01L21/683;H01L21/205;C23C16/458;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 18:24:31

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