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Semiconductor nanoparticle fluorescent reagent and fluorescence determination method

机译:半导体纳米粒子荧光剂及荧光测定方法

摘要

The present invention measures defect fluorescence exhibited from a defect level mainly on a semiconductor nanoparticle surface site which has an energy level existing inside the forbidden band of energy levels inside the semiconductor nanoparticle.
机译:本发明测量主要在半导体纳米颗粒表面位点上从缺陷能级显示的缺陷荧光,该缺陷能级存在于半导体纳米颗粒内的能级的禁带之内。

著录项

  • 公开/公告号US8003409B2

    专利类型

  • 公开/公告日2011-08-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KEIICHI SATO;SUSUMU KUWABATA;

    申请/专利号US20060389151

  • 发明设计人 KEIICHI SATO;SUSUMU KUWABATA;

    申请日2006-03-27

  • 分类号G01N33/553;B32B5/16;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:11:20

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