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机译:卤化物含量降低的四氟硼酸根-阴离子的鎓盐的制备方法。
公开/公告号AT486855T
专利类型
公开/公告日2010-11-15
原文格式PDF
申请/专利权人 MERCK PATENT GMBH;
申请/专利号AT20050807705T
发明设计人 KUCHERYNA ANDRIY;WILLNER HELGE;WELZ-BIERMANN URS;IGNATYEV NIKOLAI;
申请日2005-11-18
分类号C07D233/58;C07C275/02;C07C279/02;C07D213/18;C07D213/74;C07D295/037;C07F9/54;
国家 AT
入库时间 2022-08-21 18:03:52
机译: 低卤含量的烷基或芳基磺酰基阴离子或烷基或芳基羧酸根阴离子的鎓盐的生产方法
机译: 与二烷基膦酸酯,二烷基膦酸酯或低卤含量的(邻(烷基)-烷基或烷基膦酸酯-阴离子)生产鎓盐的方法
机译: 具有降低的卤化物含量的四氟硼酸阴离子生产盐的方法