机译:抗蚀剂底层组合物以及一种通过使用针对等离子体气体的超级耐蚀特性来有效转移所需图形的相同能力来制造半导体集成电路的方法
公开/公告号KR20110079195A
专利类型
公开/公告日2011-07-07
原文格式PDF
申请/专利权人 CHEIL INDUSTRIES INC.;
申请/专利号KR20090136179
发明设计人 CHO HYEON MO;KOH SANG RAN;YUN HUI CHAN;JEONG YONG JIN;KIM JONG SEOB;KIM MI YOUNG;KIM SANG KYUN;
申请日2009-12-31
分类号G03F7/11;G03F7/075;H01L21/027;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 17:51:31