首页> 外国专利> Test pattern for contour calibration in OPC model build

Test pattern for contour calibration in OPC model build

机译:OPC模型构建中用于轮廓校准的测试图案

摘要

A method of calibrating a lithographic process model is provided. The method includes providing a test pattern that includes a plurality of shapes; transferring the test pattern onto a photo-mask forming a resist image of the test pattern using the photo-mask; collecting model calibration data from the resist image; and calibrating the lithographic process model using the model calibration data, wherein the plurality of shapes of the test pattern have at least a first shape and a second shape, and distances from an edge of the first shape to an edge of the second shape over a range thereof, when being measured parallel to each other, differ from each other.
机译:提供了一种校准光刻工艺模型的方法。该方法包括提供包括多种形状的测试图案;使用光掩模将测试图案转印到光掩模上以形成测试图案的抗蚀剂图像;从抗蚀剂图像收集模型校准数据;以及使用模型校准数据校准光刻工艺模型,其中测试图案的多种形状至少具有第一形状和第二形状,并且在第一表面上从第一形状的边缘到第二形状的边缘的距离。当彼此平行地测量时,其范围彼此不同。

著录项

  • 公开/公告号US8234601B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-07-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AMR A. ABDO;ALEXANDER C. WEI;

    申请/专利号US20100780011

  • 发明设计人 ALEXANDER C. WEI;AMR A. ABDO;

    申请日2010-05-14

  • 分类号G06F17/50;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:28:03

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号