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Method for the fabrication of a transistor gate using at least one electron beam

机译:使用至少一个电子束制造晶体管栅极的方法

摘要

A microelectronic method for the fabrication of a transistor gate using a precursor material that is suitable for being broken down into at least one metallic material after having been exposed to an electron beam. The invention applies in particular to the fabrication of multi-channel transistors, of the FinFET, suspended-channel, ITS or GAA type.
机译:一种使用前体材料制造晶体管栅极的微电子方法,该前体材料在暴露于电子束后适合分解成至少一种金属材料。本发明尤其适用于制造FinFET,悬挂沟道,ITS或GAA类型的多沟道晶体管。

著录项

  • 公开/公告号US8173545B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-05-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 THOMAS ERNST;STÉFAN LANDIS;

    申请/专利号US20070299038

  • 发明设计人 THOMAS ERNST;STÉFAN LANDIS;

    申请日2007-05-03

  • 分类号H01L21/44;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:26:30

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