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机译:具有导电结构的半致密物及其制造方法
公开/公告号AT533162T
专利类型
公开/公告日2011-11-15
原文格式PDF
申请/专利权人 LG CHEM LTD.;
申请/专利号AT20080753432T
发明设计人 CHUN SANG-KI;KIM SEUNG-WOOK;HWANG IN-SEOK;LEE DONG-WOOK;
申请日2008-05-09
分类号G12B17/02;
国家 AT
入库时间 2022-08-21 17:21:53
机译: EMI屏蔽的EMI导电结构
机译: 核-壳颗粒,制造核-壳颗粒的方法,导电颗粒,制造导电颗粒的方法,导电材料,制造导电材料的方法,用于制造连接结构和连接结构的方法