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Dislocation engineering in single crystal synthetic diamond material

机译:单晶合成金刚石材料的位错工程

摘要

A single crystal CVD synthetic diamond layer comprising a non-parallel dislocation array, wherein the non-parallel dislocation array comprises a plurality of dislocations forming an array of inter-crossing dislocations, as viewed in an X-ray topographic cross-sectional view or under luminescent conditions.
机译:包括非平行位错阵列的单晶CVD合成金刚石层,其中所述非平行位错阵列包括多个位错,所述多个位错形成了交叉位错的阵列,如在X射线形貌横截面视图中或在X射线形貌截面图中所见。发光条件。

著录项

  • 公开/公告号GB201121721D0

    专利类型

  • 公开/公告日2012-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ELEMENT SIX LIMITED;

    申请/专利号GB20110021721

  • 发明设计人

    申请日2011-12-16

  • 分类号C30B29/04;C01B31/06;C23C16/27;C30B25/02;

  • 国家 GB

  • 入库时间 2022-08-21 17:03:53

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