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Resist pattern forming method and low-molecular-weight positive-tone radiation-sensitive composition

机译:抗蚀剂图案的形成方法及低分子量正射线放射线敏感性组合物

摘要

resist pattern shape [challenge] obtained is good and to provide a method of forming a resist pattern using a sensitive radiation-sensitive composition and radiation-sensitive composition, including easy resist material (compound) production and quality control. Has at least one molecule a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group was introduced [SOLUTION] The (A) acid-dissociable functional group, and it insoluble in an alkali developer but becomes soluble in an alkali developing solution under action of acid , a molecular weight having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group of at least one low molecular weight compound 1.00 ≦ Mw / Mn ≦ 1.05 at 400~3000 (A), in the molecule, and there are soluble in an alkaline developer , (E), and positive-tone radiation-sensitive solvent containing low molecular weight compound 1.00 ≦ Mw / Mn ≦ 1.05 at 350~2500 (B), acid generator (C), acid diffusion control agent is molecular weight composition. And, a method of forming a resist pattern using the composition.
机译:获得的抗蚀剂图案形状良好,并且提供使用敏感的辐射敏感性组合物和辐射敏感性组合物形成抗蚀剂图案的方法,包括容易的抗蚀剂材料(化合物)的生产和质量控制。引入了至少一个分子的羧基或酚羟基[解决方案](A)酸可分解的官能团,不溶于碱显影剂,但在酸,分子的作用下可溶于碱显影液在分子中具有至少一种在400〜3000时具有至少1.00≤Mw / Mn≤1.05的低分子量化合物的羧基或酚羟基的重量,并且可溶于碱性显影剂(E), (B)在350〜2500下含有低分子量化合物1.00≤Mw/Mn≤1.05的正型放射线敏感性溶剂(B),产酸剂(C),酸扩散控制剂为分子量组成。并且,使用该组合物形成抗蚀剂图案的方法。

著录项

  • 公开/公告号JPWO2011070718A1

    专利类型

  • 公开/公告日2013-04-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三菱瓦斯化学株式会社;

    申请/专利号JP20110545054

  • 发明设计人 越後 雅敏;

    申请日2010-11-09

  • 分类号G03F7/039;G03F7/004;C07C39/17;C07C39/15;C07C43/303;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 16:53:29

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