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Template-registered diblock copolymer mask for MRAM device formation

机译:用于MRAM器件形成的模板注册的二嵌段共聚物掩模

摘要

A device comprising a diblock copolymer mask for fabricating a magnetoresistive random access memory (MRAM) includes a magnetic layer; a mask formed on the magnetic layer; a template formed on the mask; and the diblock copolymer mask, the diblock copolymer mask comprising a first plurality of uniform shapes formed on and registered to the template.
机译:一种包括用于制造磁阻随机存取存储器(MRAM)的二嵌段共聚物掩模的器件,该器件包括磁性层;形成在磁性层上的掩模;掩模上形成的模板;所述二嵌段共聚物掩模包括形成在所述模板上并对准所述模板的第一多个均匀形状。

著录项

  • 公开/公告号US8519497B2

    专利类型

  • 公开/公告日2013-08-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICHAEL C. GAIDIS;

    申请/专利号US201213396998

  • 发明设计人 MICHAEL C. GAIDIS;

    申请日2012-02-15

  • 分类号H01L29/82;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:46:08

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