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THIOCYANATO OR ISOTHIOCYANATO SUBSTITUTED NAPHTHALENE DIIMIDE AND RYLENE DIIMIDE COMPOUNDS AND THEIR USE AS N-TYPE SEMICONDUCTORS

机译:硫氰酸根或异硫氰酸根基取代的萘二酰亚胺和丙二酰亚胺化合物及其作为N型半导体的用途

摘要

Disclosed are thiocyanato or isothiocyanato substituted naphthalene diimide and rylene diimide compounds according to formula (I), use of these compounds as n-type semiconductors, methods of preparing these compounds, as well as various compositions, composites, and devices that incorporate these compounds.
机译:公开了根据式(I)的硫氰酸根或异硫氰酸根基取代的萘二酰亚胺和萘二甲酰亚胺化合物,这些化合物作为n型半导体的用途,制备这些化合物的方法,以及掺入这些化合物的各种组合物,复合物和装置。

著录项

  • 公开/公告号EP2683718A4

    专利类型

  • 公开/公告日2015-01-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 BASF SE;

    申请/专利号EP20120733976

  • 申请日2012-01-10

  • 分类号C07D471/06;H01L51/30;H01L51/54;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 15:06:27

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