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TWO STEP TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM DEPOSITION METHOD AND GAN NANOWIRE DEVICES MADE BY THE METHOD

机译:两步透明导电膜沉积方法及由该方法制得的甘南威设备

摘要

A method of making a semiconductor device includes depositing a first transparent conductive film (TCF) contact layer on a sidewall of a III-nitride semiconductor nanostructure by evaporation, and depositing a second TCF contact layer over the first TCF contact layer by sputtering or chemical vapor deposition (CVD).
机译:一种制造半导体器件的方法,包括通过蒸发在III族氮化物半导体纳米结构的侧壁上沉积第一透明导电膜(TCF)接触层,以及通过溅射或化学气相在第一TCF接触层上沉积第二TCF接触层。沉积(CVD)。

著录项

  • 公开/公告号EP2973757A1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-01-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GLO AB;

    申请/专利号EP20140767830

  • 发明设计人 HERNER SCOTT BRAD;

    申请日2014-03-12

  • 分类号H01L33/20;H01L21/205;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 14:48:53

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