首页> 外国专利> 'PROCESS FOR IN-SITU FORMATION OF CHLORIDES OF SILICON, ALUMINUM AND TITANIUM IN THE PREPARATION OF TITANIUM DIOXIDE'

'PROCESS FOR IN-SITU FORMATION OF CHLORIDES OF SILICON, ALUMINUM AND TITANIUM IN THE PREPARATION OF TITANIUM DIOXIDE'

机译:“在制备二氧化钛中硅,铝和钛的氯化物原位形成过程”

摘要

This disclosure relates to a process for producing titanium dioxide, comprising: reacting aluminum and an alloy comprising silicon and titanium having a silicon content of at least 5%, based on the weight of the alloy, with chlorine gas at temperatures above 190 °C to form chlorides of silicon, aluminum and titanium; adding titanium tetrachloride to the chlorides of silicon, aluminum and titanium; oxidizing the chlorides of silicon, aluminum and titanium and titanium tetrachloride; and forming titanium dioxide.
机译:本公开涉及一种生产二氧化钛的方法,该方法包括:使铝与包含硅和钛(硅含量至少为该合金重量的5%)的合金与氯气在高于190°C的温度下反应形成硅,铝和钛的氯化物;在硅,铝和钛的氯化物中加入四氯化钛;氧化硅,铝,钛和四氯化钛的氯化物;并形成二氧化钛。

著录项

  • 公开/公告号IN2012DN03858A

    专利类型

  • 公开/公告日2016-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号IN3858/DELNP/2012

  • 发明设计人 MUSICK CHARLES DAVID;

    申请日2012-05-02

  • 分类号C01B13/20;C01G23/47;C09C1/36;C01B33/107;C01F7/56;C01G23/07;C01B9/02;

  • 国家 IN

  • 入库时间 2022-08-21 14:25:45

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