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Niobium-Nitride film forming compositions and vapor deposition of Niobium-Nitride films

机译：氮化铌膜的形成组成和氮化铌膜的气相沉积

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摘要

Disclosed are Niobium Nitride film forming compositions, methods of synthesizing the same, and methods of forming Niobium Nitride films on one or more substrates via vapor deposition processes using the Niobium Nitride film forming precursors.

机译：公开了氮化铌成膜组合物，其合成方法以及使用氮化铌成膜前体通过气相沉积工艺在一个或多个基板上形成氮化铌膜的方法。

著录项

公开/公告号US10023462B2

专利类型
公开/公告日2018-07-17

原文格式PDF
申请/专利权人 LAIR LIQUIDE SOCIÉTÉ ANONYME POUR LETUDE ET LEXPLOITATION DES PROCÉDÉS GEORGES CLAUDE;
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申请/专利号US201514954351
发明设计人 CLÉMENT LANSALOT-MATRAS;JULIEN LIEFFRIG;JOOHO LEE;WONTAE NOH;
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申请日2015-11-30
分类号C23C16/34;C23C16/455;C01B21/06;
国家 US
入库时间 2022-08-21 13:06:02

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