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Electrostatic Discharge Protection Apparatus and Integrated Circuit with Multiple Power Domains

机译:具有多个电源域的静电放电保护装置和集成电路

摘要

This application discloses an electrostatic discharge protection apparatus and an integrated circuit with multiple power domains. The electrostatic discharge protection apparatus includes a diode and an NMOS transistor. A positive electrode of the diode is coupled to a first interface, a negative electrode of the diode is coupled to a first electrode of the NMOS transistor, both a second electrode of the NMOS transistor and a gate electrode of the NMOS transistor are coupled to a second interface, and a substrate of the NMOS transistor is used for grounding. At least one electrostatic discharge protection apparatus may be disposed in the integrated circuit with multiple power domains.
机译:本申请公开了一种具有多个电源域的静电放电保护装置和集成电路。静电放电保护装置包括二极管和NMOS晶体管。二极管的正电极耦合到第一接口,二极管的负电极耦合到NMOS晶体管的第一电极,NMOS晶体管的第二电极和NMOS晶体管的栅极都耦合到晶体管。第二接口,NMOS晶体管的基板用于接地。至少一个静电放电保护装置可以被布置在具有多个功率域的集成电路中。

著录项

  • 公开/公告号US2018062387A1

    专利类型

  • 公开/公告日2018-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HUAWEI TECHNOLOGIES CO. LTD.;

    申请/专利号US201715687252

  • 发明设计人 MEI LI;BINGWU JI;YU XIA;

    申请日2017-08-25

  • 分类号H02H9/04;H01L27/02;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:00:23

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