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Memory interface design having controllable internal and external interfaces for bypassing defective memory

机译:存储器接口设计具有可控制的内部和外部接口,用于绕过有缺陷的存储器

摘要

An improved memory interface design is provided. In some implementations, an integrated circuit includes a first cache memory unit, a second cache memory unit located in parallel with the first cache memory unit, and a floorsweeping module configured to be able to select between the first cache memory unit and the second cache memory unit for cache requests, wherein the selection is based at least partially on the presence or absence of one or more manufacturing defects in the first cache memory unit or the second cache memory unit.
机译:提供了一种改进的存储器接口设计。在一些实施方式中,集成电路包括第一高速缓冲存储器单元,与第一高速缓冲存储器单元平行地定位的第二高速缓冲存储器单元以及配置为能够在第一高速缓冲存储器单元和第二高速缓冲存储器之间进行选择的扫地模块。用于高速缓存请求的单元,其中所述选择至少部分地基于第一高速缓存存储单元或第二高速缓存存储单元中是否存在一个或多个制造缺陷。

著录项

  • 公开/公告号US9946658B2

    专利类型

  • 公开/公告日2018-04-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NVIDIA CORPORATION;

    申请/专利号US201314088039

  • 发明设计人 J. ARJUN PRABHU;MICHAEL ASBURY WOODMANSEE;

    申请日2013-11-22

  • 分类号G06F12/08;G06F12/0895;G06F11/16;G11C29/00;G06F11/20;G11C29/04;G11C29/44;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:59:14

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