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Group III-nitride-based enhancement mode transistor having a multi-heterojunction fin structure

机译：具有多异质结鳍片结构的基于III族氮化物的增强模式晶体管

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A Group III-nitride-based enhancement mode transistor includes a multi-heterojunction fin structure. A first side face of the multi-heterojunction fin structure is covered by a first p-type Group III-nitride layer, and a second side face of the multi-heterojunction fin structure is covered by a second p-type Group III-nitride layer.

机译：基于III族氮化物的增强模式晶体管包括多异质结鳍结构。多异质结鳍片结构的第一侧面被第一p型III族氮化物层覆盖，多异质结鳍片结构的第二侧面被第二p型III族氮化物层覆盖。。

著录项

公开/公告号US9837520B2

专利类型
公开/公告日2017-12-05

原文格式PDF
申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG;
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申请/专利号US201615145855
发明设计人 OLIVER HÄBERLEN;GERHARD PRECHTL;CLEMENS OSTERMAIER;
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申请日2016-05-04
分类号H01L29/15;H01L29/778;H01L29/06;H01L29/205;H01L29/207;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/20;H01L29/08;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:54:20

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