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CD CRITICAL DIMENSION CD VIRTUAL METROLOGY SYSTEMS AND METHODS FOR USING FEEDFORWARD CRITICAL DIMENSION DATA TO PREDICT OTHER CRITICAL DIMENSIONS OF WAFER

机译:CD临界尺寸CD虚拟计量系统和方法使用前馈临界尺寸数据预测晶圆的其他临界尺寸

摘要

A controller includes a memory that stores a first model corresponding to a first critical dimension of a substrate processed by a substrate processing system and a second model corresponding to a second critical dimension of the substrate. The second model includes a predicted relationship between the first critical dimension and the second critical dimension. A critical dimension prediction module calculates a first prediction of the first critical dimension of the substrate using the first model, provides the first prediction of the first critical dimension as an input to the second model, and calculates and outputs a second prediction of the second critical dimension of the substrate using the second model.
机译:控制器包括存储器,该存储器存储与由基板处理系统处理的基板的第一临界尺寸相对应的第一模型和与基板的第二临界尺寸相对应的第二模型。第二模型包括第一临界尺寸和第二临界尺寸之间的预测关系。临界尺寸预测模块使用第一模型来计算基板的第一临界尺寸的第一预测,将第一临界尺寸的第一预测提供为第二模型的输入,并计算和输出第二临界的第二预测使用第二个模型的基板尺寸。

著录项

  • 公开/公告号KR20180087145A

    专利类型

  • 公开/公告日2018-08-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LAM RESEARCH CORPORATION;

    申请/专利号KR20180004851

  • 发明设计人 VEERASINGAM RAMANAPATHY;

    申请日2018-01-15

  • 分类号H01L21/67;H01L21/66;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 12:39:24

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