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SELF-BIASING AND SELF-SEQUENCING OF DEPLETION-MODE TRANSISTORS

机译:耗尽型晶体管的自偏置和自排序

摘要

A transistor circuit includes a transistor having a gate terminal and first and second conduction terminals, a first circuit configured to convert an AC input signal of the transistor circuit to a gate bias voltage and to apply the gate bias voltage to the gate terminal of the transistor, a second circuit configured to convert the AC input signal of the transistor circuit to a control voltage, and a switching circuit configured to apply a first voltage to the first conduction terminal of the transistor in response to the control voltage.
机译:一种晶体管电路,包括:具有栅极端子以及第一导电端子和第二导电端子的晶体管;第一电路,被配置为将所述晶体管电路的AC输入信号转换为栅极偏置电压,并将所述栅极偏置电压施加至所述晶体管的栅极端子。 ;第二电路,被配置为将晶体管电路的AC输入信号转换为控制电压;以及开关电路,被配置为响应于控制电压向晶体管的第一导电端子施加第一电压。

著录项

  • 公开/公告号US2019245085A1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-08-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS INC.;

    申请/专利号US201816182458

  • 发明设计人 BENONE ACHIRILOAIE;ERIC HOKENSON;

    申请日2018-11-06

  • 分类号H01L29/78;H01L29/866;H03F1/02;H03F1/52;H03F3/193;H03F3/24;H01L29/20;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:06:01

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