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Method for preparing photomask blank, photomask blank, method for preparing photomask, photomask, and metallic chromium target

机译:制备光掩模坯料的方法,光掩模坯料,制备光掩模的方法,光掩模和金属铬靶

摘要

A method for preparing a photomask blank comprising a transparent substrate and a chromium-containing film contiguous thereto involves the step of depositing the chromium-containing film by sputtering a metallic chromium target having an Ag content of up to 1 ppm. When a photomask prepared from the photomask blank is repeatedly used in patternwise exposure to ArF excimer laser radiation, the number of defects formed on the photomask is minimized.
机译:一种用于制备包括透明基板和与其相邻的含铬膜的光掩模坯料的方法,包括通过溅射具有高达1ppm的Ag的金属铬靶来沉积含铬膜的步骤。当将从光掩模坯料制备的光掩模重复用于图案化地暴露于ArF准分子激光辐射时,在光掩模上形成的缺陷数量得以最小化。

著录项

  • 公开/公告号US10782608B2

    专利类型

  • 公开/公告日2020-09-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SHIN-ETSU CHEMICAL CO. LTD.;

    申请/专利号US201815883538

  • 申请日2018-01-30

  • 分类号G03F1/22;G03F1/32;C01B33/06;C01B21/082;C22C27/06;C23C14/14;C23C14/34;G03F1/84;G03F1/54;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:30:25

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