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design for manufacturing cells (dfm) in extreme ultraviolet technology (euv)

机译:极紫外技术(euv)中制造电池(dfm)的设计

摘要

aspects of disclosure are directed to a circuit. according to one aspect, the circuit includes a first layer, wherein the first layer includes two-dimensional shapes (2d); a second layer coupled adjacent the first layer through at least one through hole, wherein the second layer includes only unidirectional shapes (1d); a shared drain terminal; and a termination of the originating terminal.
机译:本公开的各方面针对一种电路。根据一个方面,电路包括第一层,其中第一层包括二维形状(2d);第二层通过至少一个通孔与第一层相邻,其中第二层仅包括单向形状(1d);共用的漏极端子;和始发终端的终端。

著录项

  • 公开/公告号BR112020002105A2

    专利类型

  • 公开/公告日2020-08-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 QUALCOMM INCORPORATED;

    申请/专利号BR20201102105

  • 发明设计人 HARMEET SOBTI;LI-FU CHANG;MEHRDAD MANESH;

    申请日2018-07-31

  • 分类号H01L27/02;H01L27/092;H01L27/118;

  • 国家 BR

  • 入库时间 2022-08-21 11:18:22

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