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Electroplating of a cobalt alloy and use in microelectronics

机译:钴合金的电镀及其在微电子领域的应用

摘要

Electroplating of a cobalt alloy and use in microelectronics The present invention relates to a process for manufacturing cobalt interconnects and to an electrolyte allowing its implementation. Electrolyte with a pH of less than 4.0 includes cobalt ions, chloride ions, manganese or zinc ions, and at most two low molecular weight organic additives. One of these additives can be an alpha-hydroxy carboxylic acid.
机译:钴合金的电镀及其在微电子学中的用途本发明涉及用于制造钴互连的方法以及涉及允许其实现的电解质。 pH值小于4.0的电解质包括钴离子,氯离子,锰或锌离子,以及至多两种低分子量有机添加剂。这些添加剂之一可以是α-羟基羧酸。

著录项

  • 公开/公告号FR3092589A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-08-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AVENI;

    申请/专利号FR20190001264

  • 申请日2019-02-08

  • 分类号C25C3/12;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-21 11:00:19

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