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Realization of Large Scale Mid-Infrared Plasmon in Graphene Based on Epsilon-Near-Zero Silicon Carbide Substrate

机译:基于Epsilon-Near-Zero-零碳化硅衬底的石墨烯中大型红外等离子的实现

摘要

A graphene plasmon resonator and a method of manufacturing the same are provided, comprising a substrate having the properties of Epsilon-Near-Zero (ENZ) and a graphene plasmon resonator pattern formed on the substrate. The graphene plasmon resonator generates a plasmon resonance when irradiated with infrared light (eg, mid-infrared light), and is used to construct an infrared (middle infrared) optical element.
机译:本发明提供一种石墨烯等离子体激元谐振器及其制造方法,其包括具有Epsilon-Near-Zero(ENZ)特性的基板以及在该基板上形成的石墨烯等离子体激元谐振器图案。石墨烯等离子体激元共振器在被红外光(例如,中红外光)照射时产生等离子体激元共振,并且被用于构造红外(中红外)光学元件。

著录项

  • 公开/公告号KR1020200061754A

    专利类型

  • 公开/公告日2020-06-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 한국과학기술원;

    申请/专利号KR1020180147425

  • 发明设计人 장민석;김신호;

    申请日2018-11-26

  • 分类号

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 10:58:50

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