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公开/公告号CN101169488B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-08-01
原文格式PDF
申请/专利权人 古河电子北美公司;
申请/专利号CN200710167801.7
发明设计人 杰弗瑞·尼科尔森;
申请日2007-10-26
分类号G02B1/10(20060101);G02B6/02(20060101);G02B6/42(20060101);G02B6/26(20060101);
代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人蒋世迅
地址 美国佐治亚
入库时间 2022-08-23 09:10:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-08-01
授权
2009-12-16
实质审查的生效
2008-04-30
公开
机译: 碳纳米管在光纤上的选择性沉积
机译:偏振不敏感的全光纤锁模器,由沉积在锥形光纤上的碳纳米管起作用
机译:沉积在D形光纤上的碳纳米管的基底几何形状依赖性非线性吸收
机译:Fe-MgO催化剂上甲烷的化学气相沉积选择性合成单壁碳纳米管
机译:碳纳米管在掺fiber光纤上的光驱动沉积,用于短腔被动锁模光纤激光器
机译:I.界面Diels-Alder反应的物理有机研究。二。一种化学选择性方法,用于金纳米颗粒的组装和在固体载体上的聚合物多层沉积。
机译:在D形光纤沉积在D形光纤上刻录薄膜的光纤布拉格光栅的优化
机译:碳纳米管在裸露硅上的选择性生长:MWNT sinthesys在图案化基材上进行,无需预先沉积金属催化剂
机译:pt上的铜的欠电位沉积(311):位置选择性沉积和阴离子效应。