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电写磁性存储器件及其装置、信息记录再现及制造方法

摘要

本发明提供一种电写磁性存储器件,包括:底电极层;铁电氧化物层,所述铁电氧化物层形成在所述底电极层上;磁性记录层,所述磁性记录层设置在所述铁电氧化物层上;保护层,所述保护层设置在所述磁性记录层上,其中通过所述底电极层和磁性记录层向所述铁电氧化物层施加写入电场,且所述磁性记录层的磁矫顽场Hc具有对应于所述写入电场信息的不同磁矫顽场值。本发明还提供一种存储装置、一种信息记录再现方法以及一种电写磁性存储器件的制造方法。采用本发明所述的设备和方法,能够利用电场信号直接作用于存储器件上进行信息写入,降低能耗,同时利用不易受外界干扰的磁性记录层磁矫顽场Hc大小进行信息记录,提高了数据存储的安全性。

著录项

  • 公开/公告号CN101814294B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201010033876.8

  • 发明设计人 李峥;南策文;王婧;林元华;

    申请日2010-01-11

  • 分类号G11B5/62(20060101);G11B5/012(20060101);G11B5/84(20060101);

  • 代理机构11330 北京市立方律师事务所;

  • 代理人张磊

  • 地址 100084 北京市100084-82信箱

  • 入库时间 2022-08-23 09:10:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-05-30

    授权

    授权

  • 2010-10-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11B 5/62 申请日:20100111

    实质审查的生效

  • 2010-08-25

    公开

    公开

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