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制备用于太阳能电池的抗反射或钝化层的方法和装置

摘要

本发明涉及一种制备用于太阳能电池的抗反射和/或钝化涂层的方法,包括步骤:在沉积室中提供硅晶片;将所述硅晶片预加热至大于400℃的温度;通过溅射工艺沉积含氢抗反射或钝化涂层。本发明还涉及一种制造太阳能电池、优选在Si晶片上制备抗反射和/或钝化涂层的涂覆装置,所述涂覆装置优选用于进行本发明的方法,所述涂覆装置包括第一真空室(1)、第二真空室(2)和用于将衬底(5)依次传送通过所述第一和第二真空室的输送装置(4),所述第一真空室包括至少一个能够被加热以使加热丝温度为1800-3000℃的红外线辐射加热器(16),并且所述第二真空室包括用于蒸发靶材的溅射装置(12)以及用于引入含氢反应性气体的气体进口。

著录项

  • 公开/公告号CN101330114B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-06-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN200810088068.4

  • 申请日2008-03-31

  • 分类号

  • 代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人赵飞

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-24

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 授权公告日:20120620 终止日期:20160331 申请日:20080331

    专利权的终止

  • 2012-06-20

    授权

    授权

  • 2009-02-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-12-24

    公开

    公开

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