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用于制备胶体晶体单层膜的装置及方法

摘要

本发明提供一种用于制备胶体晶体单层膜的装置及方法。所述方法包括以下步骤:1)设定所述恒温装置的温度;2)加入胶体悬浊液到所述生长管中,并使所述胶体悬浊液的液面高于所述第一阀门至少约10cm;3)固定所述基片于所述生长管中,开启所述第一阀门,以使所述胶体悬浊液的高度下降值占胶体悬浊液的原液面和第一阀门之间的高度差的比例最多为1/10;4)待生长完毕,关闭第一阀门。本发明的用于制备胶体晶体单层膜的方法效率高、易于控制、操作简单且重复性好,采用该方法可以在较短的时间内生长高质量,大面积的胶体晶体单层膜,且适用于多种粒径和种类胶体颗粒的自组装。

著录项

  • 公开/公告号CN101597786B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN200910088088.6

  • 申请日2009-07-02

  • 分类号

  • 代理机构北京泛华伟业知识产权代理有限公司;

  • 代理人王勇

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村南三街8号

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-08-26

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 5/00 授权公告日:20120523 终止日期:20140702 申请日:20090702

    专利权的终止

  • 2012-05-23

    授权

    授权

  • 2010-02-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-12-09

    公开

    公开

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