单台面串联平面PN结芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种单台面串联平面PN结芯片及其制作方法。该PN结芯片包括硅基片及直接或间接制作于其上的串联平面PN结，在两个PN结的边缘设有单台面，在台面侧壁还覆盖有玻璃或CVD沉积膜或其他钝化材料。其制作方法包括：在硅基片上形成串联平面PN结；形成单台面，使串联平面PN结均暴露在单台面侧壁；在单台面侧壁形成钝化层，使PN结与外界隔离；完成表面金属化。