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重量超轻的光伏器件及其制造方法

摘要

诸如光伏器件的重量超轻半导体器件被制造在不可蚀刻的阻挡层上,该不可蚀刻的阻挡层被布置于可蚀刻的衬底上。所述器件与适当的蚀刻剂接触一段足够长的时间,以移去至少一部分衬底厚度。在蚀刻过程中,该阻挡层能阻止对光伏材料的损坏。由此方法制造的光伏器件具有超过300瓦特/千克的比功率水平。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-12-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/0256 授权公告日:20120307 终止日期:20121021 申请日:20051021

    专利权的终止

  • 2012-03-07

    授权

    授权

  • 2009-07-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-05-13

    公开

    公开

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