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磁隧道结器件以及用于所述器件的写/读方法

摘要

本发明的器件顺序包括第一电极(12)、磁参考层(1)、隧道势垒(3)、磁存储层(4)、以及第二电极(13)。至少一个第一热障设置在该存储层(4)与该第二电极(13)之间且由热导率小于5W/m/℃的材料制成。第二热障可由布置在该第一电极(12)与该参考层(1)之间的层构成。所述方法的写阶段包括电流(I1)从存储层(4)向参考层(1)穿过隧道结的流动,而所述读阶段包括电流沿相反方向的流动。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-01-25

    授权

    授权

  • 2011-06-22

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G11C 11/16 变更前: 变更后:

    专利申请权、专利权的转移

  • 2007-01-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-11-15

    公开

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