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一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器及其制备方法，所述的探测器包括玻璃基底、导电薄膜，所述的玻璃基底是石英玻璃基底，所述的导电薄膜上有作为紫外光吸收层的NiO-TiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-06-01

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/109 授权公告日:20120208 终止日期:20150414 申请日:20100414

专利权的终止
2012-02-08

授权

授权
2010-11-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/109 申请日:20100414

实质审查的生效
2010-10-06

公开

公开

1. 一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器及其制备方法 [P] . 中国专利： CN101853894B . 2012.02.08
2. 一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器 [P] . 中国专利： CN201638834U . 2010.11.17
3. METHOD OF MANUFACTURING HETEROJUNCTION METAL NANOWIRE AND HETEROJUNCTION METAL NANOWIRE BY SAME [P] . 韩国专利： KR101689276B1 . 2016-12-26

机译：用相同的方法制造异质结金属纳米线和异质结金属纳米线的方法
4. HETERO-JUNCTION DIODE, A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND AN ELECTRONIC DEVICE COMPRISING HETERO-JUNCTION DIODE [P] . 韩国专利： KR20100130419A . 2010-12-13

机译：异质结二极管，一种制造异质结二极管的方法和一种包括异质结二极管的电子设备
5. Single crystal nanowire array having heterojunction and method for manufacturing the same [P] . 韩国专利： KR100855882B1 . 2008-09-03

机译：具有异质结的单晶纳米线阵列及其制造方法