法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-19
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01G 4/33 授权公告日:20120111 终止日期:20180328 申请日:20080328
专利权的终止
2012-01-11
授权
授权
2012-01-11
授权
授权
2008-11-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-11-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-10-01
公开
公开
2008-10-01
公开
公开
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机译: 一种通过使用激光剥离工艺来制造包括具有电介质层的嵌入式薄膜电容器的印刷电路板的方法以及由其制造的包括嵌入式薄膜电容器的印刷电路板
机译: 一种利用激光剥离工艺制造包括具有电介质层的嵌入式薄膜电容器的印刷电路板的方法,以及包括嵌入式薄膜电容器的印刷电路板的方法
机译: 用于高密度嵌入式基质的薄膜电容器以及制造该薄膜电容器和包括该薄膜电容器的高密度嵌入式基质的方法