外延膜、压电元件、铁电元件、它们的制造方法以及液体排出头

摘要

本发明公开了外延膜，其包括：加热Si衬底，在该衬底的表面上设置有具有1.0nm～10nm膜厚的SiO₂层；和通过使用由以下组成式(1)表示的金属靶在该SiO₂层上形成由以下组成式(2)表示的外延膜：yA(1-y)B (1)，其中A为选自由包括Y和Sc的稀土元素组成的组的一种或多种元素，B为Zr，且y为0.03～0.20的数值，xA₂O₃-(1-x)BO₂ (2)，其中A和B为分别与组成式(1)的A和B相同的元素，且x为0.010～0.035的数值。