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透明稀土掺杂钛酸铋发光铁电薄膜的制备方法

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摘要

本发明公开了一种透明稀土掺杂钛酸铋发光铁电薄膜及其制备方法。本发明提供的薄膜，含有(Bi

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-10-15

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C03C 17/22 授权公告日:20111109 终止日期:20130815 申请日:20080815

专利权的终止
2011-11-09

授权

授权
2009-02-25

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-01-07

公开

公开

1. 透明稀土掺杂钛酸铋发光铁电薄膜的制备方法 [P] . 中国专利： CN101337772B . 2011.11.09
2. 一种稀土掺杂钛酸铋上转换发光铁电薄膜及其制备方法 [P] . 中国专利： CN101717201A . 2010-06-02
3. Production method of bismuth titanate ferroelectric thin film [P] . 日本专利： JP3593757B2 . 2004-11-24

机译：钛酸铋铁电薄膜的制备方法
4. The tris (jiisobuchirirumetanato) the production mannered null tris of the neodymium displacement titanic acid bismuth ferroelectric thin film by neodymium and the chemical vapor phase growth modulo which uses [P] . 日本专利： JP4042959B2 . 2008-02-06

机译： tris（jiisobuchirirumetanato）用钕和钕铁硼生产的钕置换钛酸铋铁电薄膜和化学气相生长模的合成方法
5. Bismuth-cerium Titanate Thin Film for Capacitor of Ferroelectric Random Access Memory [P] . 韩国专利： KR100371055B1 . 2003-02-05

机译：铁电随机存取存储器电容器用钛酸铋铈薄膜