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MB2镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法

摘要

MB2镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层的制备方法,它涉及热控涂层的制备方法。本发明解决了现有的微弧氧化方法不能在镁合金表面制备高太阳吸收率高发射率涂层的技术问题。本发明的步骤为:一、镁合金表面预处理;二、将主成膜剂、辅助成膜剂、着色添加剂、络合剂、pH调节剂配配制成电解液;三、采用脉冲微弧氧化电源供电,在恒定电流模式下反应,即得到镁合金表面高太阳吸收率高发射率热控涂层。涂层的太阳吸收率为0.80~0.95、红外发射率为0.80~0.90,其重量比铝合金减少28%~33%。可以应用于航天器。

著录项

  • 公开/公告号CN101748469B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-10-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201010300689.1

  • 发明设计人 吴晓宏;秦伟;

    申请日2010-01-25

  • 分类号C25D11/30(20060101);

  • 代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人韩末洙

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 09:08:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-10-19

    授权

    授权

  • 2010-08-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 11/30 申请日:20100125

    实质审查的生效

  • 2010-06-23

    公开

    公开

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