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带有可编程接收器以改善性能的存储器件

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摘要

本发明揭示了一种具有多个可有选择地供以不反相或反相的信号的DRAM的存储系统。这些DRAM能够从一个同时驱动多个信号的寄存器接收不反相或反相的地址/命令信号。这种系统包括一些具有可编程输入极性的DRAM接收器和一个具有可编程输出极性的寄存器。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-11-21

专利权的转移 IPC(主分类):G11C 11/401 登记生效日:20171102 变更前: 变更后: 申请日:20041117

专利申请权、专利权的转移
2017-11-21

专利权的转移 IPC(主分类):G11C 11/401 登记生效日:20171102 变更前: 变更后: 申请日:20041117

专利申请权、专利权的转移
2011-09-14

授权

授权
2011-09-14

授权

授权
2005-08-10

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-08-10

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-06-08

公开

公开
2005-06-08

公开

公开

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1. 带有可编程接收器以改善性能的存储器件 [P] . 中国专利： CN1624799B . 2011.09.14
2. 电场可编程薄膜和基于该电场可编程薄膜的存储器件 [P] . 中国专利： CN1951997A . 2007-04-25
3. Programmable memory device, integrated circuit including the programmable memory device, and method of fabricating same [P] . 美国专利： US7642592B2 . 2010-01-05

机译：可编程存储器件，包括该可编程存储器件的集成电路及其制造方法
4. Programmable memory device, integrated circuit including the programmable memory device, and method of fabricating same [P] . 美国专利： US7259419B2 . 2007-08-21

机译：可编程存储器件，包括该可编程存储器件的集成电路及其制造方法
5. One time programmable memory device, integrated circuit including the same and method for fabricating thereof [P] . 韩国专利： KR100518577B1 . 2005-10-04

机译：一次性可编程存储器件，包括该可编程存储器件的集成电路及其制造方法