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提高抗断裂性能的Nb3Sn超导磁体的制备方法

摘要

本发明公开的提高抗断裂性能的Nb3Sn超导磁体的制备方法,在真空的气氛下先将Nb3Sn超导线圈全部浸没在环氧树脂中,然后再通过氮气加压,将环氧树脂充分浸渍到Nb3Sn超导线圈之中,最后再经过固化得到Nb3Sn超导线圈。采用本发明方法制得的Nb3Sn超导线圈励磁时,由于Nb3Sn超导线圈之间完全绝缘,所以Nb3Sn超导线圈不会发生断裂。

著录项

  • 公开/公告号CN101692367B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-07-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西部超导材料科技有限公司;

    申请/专利号CN200910024113.4

  • 申请日2009-09-28

  • 分类号H01F6/00(20060101);H01F41/02(20060101);

  • 代理机构61214 西安弘理专利事务所;

  • 代理人罗笛

  • 地址 710018 陕西省西安市经济开发区明光路12号

  • 入库时间 2022-08-23 09:07:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-01-30

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01F 6/00 变更前: 变更后: 申请日:20090928

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2011-07-27

    授权

    授权

  • 2010-05-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01F 6/00 申请日:20090928

    实质审查的生效

  • 2010-04-07

    公开

    公开

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